索尼TA-FA70ES
¥180,000（1997年上映）
评论
作为索尼 ES 放大器的参考而开发的集成放大器。
电路整级由MOS-FET组成。
MOS-FET作为放大元件具有良好的高频特性，开关速度极佳。而且，由于输入阻抗高，还具有前后级不易相互干扰的优点。失真特性方面，3阶、5阶等奇数主，容易听，失真小，推挽电路连接处出现的交越失真比普通的可以大大降低双极型和r形电阻器。 .
末级功率MOS-FET采用非磁性型，并镀金使用。
为了在所有阶段充分发挥 MOS-FET 配置的优点，在偏置电路中插入了具有与 MOS-FET 相同温度特性的光学元件，以抑制空载电流的波动并稳定工作。阻抗通过增加环形电容器的容量来降低。由此彻底抑制了不必要的谐波的出现，并且实现了很少的失真声音。
采用固定光偏置电路。
MOS-FET 具有即使元件温度波动也能稳定工作的优点。利用此功能，TA-FA70ES 取消了晶体管温度检测及其补偿，热传感器实际上是一个固定偏置电路，仅检测机箱中逐渐发生的温度变化。这稳定了偏置电流，消除了音乐信号峰值之后的不稳定感等，并实现了双极晶体管难以实现的轻松音质。
供电部分搭载改进型torus环形变压器。
环形环形变压器的铁芯（铁芯）截面呈椭圆形，以增加铁芯与线圈的附着力，从而减少振动。这样一来，可以缩短绕组的总长度，降低阻抗，从而在相同尺寸的情况下增加功率容量。
TA-FA70ES搭载的改进型环形环形变压器容量大幅提升，并尝试提升至600VA。另外，将以往绕在外侧的初级绕组（AC100V侧）变更为内侧，将次级绕组绕在外侧。另外，采用+和-侧的绕组的长度相等的双线布线，提高了可听性SN比。
电源电路采用先进的STD电源。
STD电源中，电压放大级（A类级）和功率放大级（power stage）分别专用于电源部分的整流电路，以消除大电流功率放大弹的影响电压放大级的变化 我来了
先进的STD电源进一步完善，加上变压器尺寸的加大和大容量电解电容的规格变更，获得了更稳定的供电能力。
内部布局采用双单声道结构，电源部分置于机箱中央，左右功放部分和散热片几乎对称排列，将电源部分夹在中间。此外，散热片也布置成鳍片在里面，末级功率MOS-FET彼此远离，远离变压器。
通过这样做，可以获得良好的信道分离和很少的串扰。
底盘由5块组成，为了减少处理大电流的功放部分和电源部分对处理小信号的前置放大部分的影响，有1个前置放大部分，2个电源部分和3个Lch机箱电源部分，电源部分为4Rch，5控制部分。从而在电磁方面和振动方面都减少了相互干扰。
通过对 FB 底盘和散热器镀铜来减少涡流。
偏心绝缘子用于支腿。
MM/MC唱头对应的电话输入电路采用FET。
采用惰性气体填充继电器、碳素电阻、OFC内部走线材料、优质音质电解电容等严选元器件。
传输路径中的噪音难以影响的 XLR 型端子的平衡输入被传送。
输入电路采用金属芯模块，其中零件表面安装在具有耐热绝缘的金属基板上。
采用纯输入电路，大幅减少输入端至主音量的触点数量，保护微弱的音频信号。
音调控制部分带有翻转切换功能。
带有源直接开关点，当不需要音调控制电路或平衡控制电路时，可以旁路这些电路。
预输出端子被携带。型号评级
模型 合并放大器
有效输出（20Hz-20kHz） 120W+120W(4Ω)
100W+100W(6Ω)
80W+80W(8Ω)
输入灵敏度/阻抗 唱机 MM：2.5mV/50kΩ
唱机 MC：170μV/100Ω
线路：150mV/50kΩ
输出电平/阻抗 录音输出：150mV/1kΩ
耳机：25mW (8Ω)
总谐波失真 0.008%（10W输出时，8Ω）
互调失真（60Hz:7kHz=4:1） 0.008%（额定输出时，8Ω）
频率特性 唱机曼月：20Hz - 20kHz ±0.2dB
线路：2Hz - 100kHz +0 -3dB
信噪比 唱机人月：87dB
唱机 MC：76dB
线路：105dB
音调控制 低音：
高音： ±8dB (100Hz, 翻转 400Hz)
±6dB (100Hz, 翻转 200Hz)
±7dB (10kHz, 翻转 3kHz)
±5dB (10kHz, 翻转 6kHz)
附加功能 源直接开关
Rec out off
Rec out 选择器
Turnover 切换功能
电源 AC100V, 50Hz/60Hz
能量消耗 230W
外形尺寸 宽 430x 高 175x 深 450mm
重量 约23kg
